تاريخ الترانزيستور

صورة لأول ظهور لعنصر الترانزيستور الذي تم اختراعه بواسطة
مختبرات بيل Bell Labs في سنة 1947
أطلق على هذا الترانزيستور اسم point contact transistor
قصة اختراع الترانزستور :

قبل وجود الترانزستور كانت هناك
صمامات الراديو
, التي اخترعها السير
فلمنغ
الذي ساعد ماركوني في تجاربه المبكرة.
وقد انتج صمامه الأول في العام 1904 , عندما اكتشف انه إذا كان بحوزته أنبوب مفرغ
بقطبين أحدهما ساخن والآخر بارد فانه بالإمكان الكشف عن موجات لاسلكية. وفي العام
1906 في فيينا أضاف روبرت فون ليبن المنكب على مسألة الإشارات الهاتفية, قطبا ثالثا
ووجد أن ذلك سيجعل من الإشارات الضعيفة أقوى وأعلى بكثير.

وقد قدر للأمريكي لي دو فورست تحسين ذلك.
ومن ناحية أخرى, فان الترانزستور يعمل كل ما تعمله صمامات الراديو, لكنه أكثر
موثوقية وامتن واصغر ولا يحتاج إلا لجزء مما تتطلبه الصمامات من كهرباء . وقد أظهرت
أولى الترانزستورات للمرة الأولى من قبل ويليام شوكلي, وجون باردين وولتر براتين في
مختبرات شركة بل تلفون في الولايات المتحدة الأمريكية في العام 1948 .

تاريخ الترانزيستور 2

الجالس William Shockley , على اليسار John Bardeen ومخترع
الترانزيستور Walter Brattain على اليمين وهم الثلاثة الحائزين على جائزة
نوبل سنة 1956
اكتشف هؤلاء المخترعين أن مواد مثل السليكون والجرمانيوم لا توصل الكهرباء
ولا تعمل كمقاومات لها.
وبالحقيقة, أنها (نصف نواقل) . فالسيلكون هو عنصر شائع الوجود في العالم , حيث يوجد
في مواد مثل الرمل والصوان والكوارتز.
وقد اكتشف شوكلي انه بإضافة مقادير ضئيلة من مادة أخرى إلى السليكون يستطيع أن يظهر
الكيفية التي يرد بها السليكون على مرور الكهرباء عبره.

وقد قاد هذا الاكتشاف إلى تطور كل الدارات الكهربائية الدقيقة الحديثة.

تاريخ الترانزيستور 3

تطور شكل الترانزيستور

تاريخ الترانزيستور 4

السنة الترانزيستور
1948 POINT CONTACT TRANSISTOR
1950 SINGLE-CRYSTAL GERMANIUM
1951 ALLOY JUNCTION TRANSISTOR
1952 ZONE MELTING AND REFINING
1952 SINGLE-CRYSTAL SILICON
1955 DIFFUSED -BASE TRANSISTORS
1957 OXIDE MASKING
1960 PLANAR TRANSISTOR
1960 MOS TRANSISTOR
1960 INTEGRATED CIRCUITS
1961 INTEGRATED CIRCUITS

تاريخ الترانزيستور 884883819